优于闪存 富士通2Mbit FeRAM芯片量产

富士通近日宣布了2 Mbit Ferroelectric RAM (铁电随机存储器，简称FRAM或FeRAM)内存芯片的问世。该产品的电气特性和之前该公司的1 Mbit FeRAM一样，也采用相同的TSOP-48封装，但容量提高到原来的两倍。

FeRAM是一种非易失性内存，利用一种铁电薄膜来存储数据，写入速度比闪存更快，而功率则更低，写入次数更多。

富士通表示FeRAM可以用于智能电表、办公设备存储事件计数，或者存储每个事件的不同参数及日志，而不必考虑写入次数问题。FeRAM允许100亿次读写周期，相当于每秒写入30次持续10年。另外，FeRAM无需电池就可以将数据保存10年以上。

FeRAM另一个理想的应用是车辆导航系统、多功能打印机、测量仪器等等非易失性内存用于存储各种参数、记录设备操作环境或者安全信息的领域。