一．产品特点

1.本方案采用钜泉光电全SOC芯片HT5019进行设计，该芯片集成了电能计量、RTC时钟、LCD驱动等外设模块，非常适用于电能计量插排、出租屋电表、空调用插排等产品上。

2.本方案采用富士通高性能、低电压铁电存储器，可实现掉电保存、快速保存、大于一万亿擦次数等功能，具有极强的数据安全性能。

3.本方案采用LoRa无线模块，可实现无线传输功能，或者通过云端进行进行数据查询，集成抄表，远程控制等。

二．MCU芯片特性

※Cortex-M0 32-Bit内处理器

※工作电压范围：2.0V~5.5V

※系统主频至39.32MHz

※储存器资源：128K Flash+512bytes Information Block、 8K SRAM

※内置RTC曲线数字补偿，全温度范围RTC补偿无需用户软件参与

※计量模块EMU计量精度高、性能稳定

※集成LCD驱动，支持4/6/8COM模式,对比度可调节

※内置硬件AES/GHASH加密/解密算法

※Hold模式功耗低至3.3uA, Sleep模式功耗低至2.76uA

※超低功耗，待机电流（RTC）<10uA

※提供多种能量累加方式选择

※支持增益误差、相位误差的软件校表

※分别提供两个计量通道的可配置防潜动功能

※支持 EMU 低功耗模式： EMU 低功耗工作频率可配置为 204.8KHz 或 32KHz， ※支持掉零线、掉火

※线的防窃电计量，低功耗连续计量，系统功耗优于 650uA

※支持直流计量

※支持单相三线计量制

※片内基准电压： 1.2V， 温度系数±10ppm/℃

※温度工作范围:-40℃~+85℃

※封装:LQFP48Pin

三．铁电MB85RC16特性

※MB85RC16 是一种被称为 FRAM（铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 2,048 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。

※与 SRAM 不同， MB85RC16 无需备用电池即可保持数据。

※MB85RC16 中使用的存储单元具有每字节 1012 （一万亿）次读 / 写操作的耐久性，次数明显超过其他非易失性 FLASH 等产品。

※MB85RC16 可执行以一字节为一组的写操作。它与 FLASH 和 E2PROM 不同，既不需要很长的写时间，不需要在写入存储器后的轮询序列。

四．原理框图